HAMAMATSU滨松  G6849-01   InGaAs PIN 光电二极管阵列

HAMAMATSU滨松 G6849-01 InGaAs PIN 光电二极管阵列

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HAMAMATSU滨松  G6849-01   InGaAs PIN 光电二极管阵列

详细参数

受光面φ1 mm
像元数1(象限)
封装金属
封装类别TO-5
制冷非冷却型
灵敏度波长范围0.9 到 1.7 μm
最大灵敏度波长(典型值)1.55 μm
感光灵敏度(典型值)0.95 A/W
暗电流(最大值)1.5 nA
截止频率(典型值)120 MHz
结电容(典型值)25 pF
测量条件典型值 Ta = 25°C,除非另有说明



光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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