HAMAMATSU滨松 S8558 硅光电二极管阵列
像元尺寸(每个像元) | 0.7 × 2.0 mm |
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像元数 | 16 |
封装 | 陶瓷 |
封装类别 | 表面贴装 |
闪烁体类型 | 无 |
制冷 | 非冷却型 |
反向电压(最大值) | 30 V |
灵敏度波长范围 | 320 至 1100 nm |
最大灵敏度波长(典型值) | 960 nm |
感光灵敏度(典型值) | 0.72 A/W |
暗电流(最大值) | 1000 pA |
结电容(典型值) | 5 pF |
测量条件 | 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明 每个像元,感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR = 10 V,结电容:VR = 10 V,f = 1 MHz |
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