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HAMAMATSU滨松 S5344 硅 APD
详细参数
| 类型 | 短波长类型 （低偏压操作） |
|---|---|
| 受光面 | φ3 mm |
| 封装 | 金属 |
| 封装类别 | TO-5 |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 620 nm |
| 灵敏度波长范围 | 200 至 1000 nm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.42 A/W |
| 暗电流（最大值） | 30 nA |
| 截止频率（典型值） | 25 MHz |
| 结电容（典型值） | 120 pF |
| 击穿电压（典型值） | 150 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.14 V/°C |
| 增益率（典型值） | 50 |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明， 感光灵敏度：λ = 620 nm，M = 1 |
光谱灵敏度特性
外形尺寸图（单位：mm）
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