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HAMAMATSU滨松 S4114-35Q 硅光电二极管阵列
详细参数
| 像元尺寸（每个像元） | 0.9 × 4.4 mm |
|---|---|
| 像元数 | 35 |
| 封装 | 陶瓷 |
| 封装类别 | 40 针 DIP |
| 闪烁体类型 | 无 |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 反向电压（最大值） | 15 V |
| 灵敏度波长范围 | 190 至 1000 nm |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 800 nm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.5 A/W |
| 暗电流（最大值） | 60 pA |
| 上升时间（典型值） | 0.1 μs |
| 结电容（典型值） | 35 pF |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明 每个像元，感光灵敏度：λ = λp，暗电流：VR=10 mV，上升时间：VR = 0 V，结电容：VR = 0 V |
光谱灵敏度特性
外形尺寸图（单位：mm）
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