HAMAMATSU滨松  P11120-201   InAsSb 光伏元件

HAMAMATSU滨松 P11120-201 InAsSb 光伏元件

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HAMAMATSU滨松  P11120-201   InAsSb 光伏元件

详细参数

受光面φ1 mm
像元数1
封装类别TO-8
封装金属
制冷两级电子冷却型
截止波长(典型值)5.9 μm
最大灵敏度波长(典型值)4.9 μm
感光灵敏度(典型值)1.6 A/W
检测率 D*(典型值)5.0×109 cm・Hz1/2/W
噪声等效功率(典型值)1.8×10-11 W/Hz1/2
上升时间(典型值)400 ns
测量条件Td = -30°C,检测率 D*:λ = λp,fc = 1200 Hz,Δf = 1 Hz

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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常见问题

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